HTNFET-D

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	HTNFET-D
Ražotājs	Honeywell Aerospace
Apraksts	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - vieni
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	HTNFET-D PDF

Pieejamība

Noliktavā	470 370
Vienības cena	$ 435.00000

HTNFET-D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HTNFET-D Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	HTMOS™
iepakojums:	Bulk
daļas statuss:	Active
feta tips:	N-Channel
tehnoloģija:	MOSFET (Metal Oxide)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	55 V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	-
piedziņas spriegums (maksimālais rds ieslēgts, minimālais rds ieslēgts):	5V
rds on (maks.) @ id, vgs:	400mOhm @ 100mA, 5V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.4V @ 100µA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	4.3 nC @ 5 V
vgs (maks.):	10V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	290 pF @ 28 V
fet funkcija:	-
jaudas izkliede (maks.):	50W (Tj)
Darbības temperatūra:	-55°C ~ 225°C (TJ)
montāžas veids:	Through Hole
piegādātāja ierīču pakete:	8-CDIP-EP
iepakojums / futrālis:	8-CDIP Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.