TP65H070LDG

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	TP65H070LDG
Ražotājs	Transphorm
Apraksts	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - vieni
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Pieejamība

Noliktavā	673
Vienības cena	$ 12.98000

TP65H070LDG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H070LDG Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	TP65H070L
iepakojums:	Tube
daļas statuss:	Active
feta tips:	N-Channel
tehnoloģija:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	650 V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	25A (Tc)
piedziņas spriegums (maksimālais rds ieslēgts, minimālais rds ieslēgts):	10V
rds on (maks.) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	4.8V @ 700µA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	600 pF @ 400 V
fet funkcija:	-
jaudas izkliede (maks.):	96W (Tc)
Darbības temperatūra:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montāžas veids:	Surface Mount
piegādātāja ierīču pakete:	3-PQFN (8x8)
iepakojums / futrālis:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.