G2R1000MT33J

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	G2R1000MT33J
Ražotājs	GeneSiC Semiconductor
Apraksts	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - vieni
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	G2R1000MT33J PDF

Pieejamība

Noliktavā	1 130
Vienības cena	$ 16.58000

G2R1000MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G2R1000MT33J Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	G2R™
iepakojums:	Tube
daļas statuss:	Active
feta tips:	N-Channel
tehnoloģija:	SiCFET (Silicon Carbide)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	3300 V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	4A (Tc)
piedziņas spriegums (maksimālais rds ieslēgts, minimālais rds ieslēgts):	20V
rds on (maks.) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.5V @ 2mA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 20 V
vgs (maks.):	+20V, -5V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	238 pF @ 1000 V
fet funkcija:	-
jaudas izkliede (maks.):	74W (Tc)
Darbības temperatūra:	-55°C ~ 175°C (TJ)
montāžas veids:	Surface Mount
piegādātāja ierīču pakete:	TO-263-7
iepakojums / futrālis:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.