TW070J120B,S1Q

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	TW070J120B,S1Q
Ražotājs	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Apraksts	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - vieni
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Pieejamība

Noliktavā	273
Vienības cena	$ 33.97000

TW070J120B,S1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TW070J120B,S1Q Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	*
iepakojums:	Tube
daļas statuss:	Active
feta tips:	N-Channel
tehnoloģija:	SiCFET (Silicon Carbide)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	1200 V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	36A (Tc)
piedziņas spriegums (maksimālais rds ieslēgts, minimālais rds ieslēgts):	20V
rds on (maks.) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (maks.) @ id:	5.8V @ 20mA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (maks.):	±25V, -10V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	1680 pF @ 800 V
fet funkcija:	Standard
jaudas izkliede (maks.):	272W (Tc)
Darbības temperatūra:	-55°C ~ 175°C
montāžas veids:	Through Hole
piegādātāja ierīču pakete:	TO-3P(N)
iepakojums / futrālis:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.