TK39J60W,S1VQ

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	TK39J60W,S1VQ
Ražotājs	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Apraksts	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - vieni
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	TK39J60W,S1VQ PDF

Pieejamība

Noliktavā	266 449
Vienības cena	$ 10.21000

TK39J60W,S1VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK39J60W,S1VQ Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	DTMOSIV
iepakojums:	Tube
daļas statuss:	Active
feta tips:	N-Channel
tehnoloģija:	MOSFET (Metal Oxide)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	600 V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
piedziņas spriegums (maksimālais rds ieslēgts, minimālais rds ieslēgts):	10V
rds on (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.7V @ 1.9mA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fet funkcija:	Super Junction
jaudas izkliede (maks.):	270W (Tc)
Darbības temperatūra:	150°C (TJ)
montāžas veids:	Through Hole
piegādātāja ierīču pakete:	TO-3P(N)
iepakojums / futrālis:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.