FQNL2N50BTA

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	FQNL2N50BTA
Ražotājs	Rochester Electronics
Apraksts	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - vieni
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	FQNL2N50BTA PDF

Pieejamība

Noliktavā	20 000
Vienības cena	$ 0.21000

FQNL2N50BTA Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQNL2N50BTA Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	QFET®
iepakojums:	Bulk
daļas statuss:	Active
feta tips:	N-Channel
tehnoloģija:	MOSFET (Metal Oxide)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	500 V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	350mA (Tc)
piedziņas spriegums (maksimālais rds ieslēgts, minimālais rds ieslēgts):	10V
rds on (maks.) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 175mA, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	3.7V @ 250µA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	230 pF @ 25 V
fet funkcija:	-
jaudas izkliede (maks.):	1.5W (Tc)
Darbības temperatūra:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montāžas veids:	Through Hole
piegādātāja ierīču pakete:	TO-92-3
iepakojums / futrālis:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.