IRFHE4250DTRPBF

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	IRFHE4250DTRPBF
Ražotājs	Rochester Electronics
Apraksts	HEXFET POWER MOSFET
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - masīvi
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	IRFHE4250DTRPBF PDF

Pieejamība

Noliktavā	9 000
Vienības cena	$ 1.79000

IRFHE4250DTRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRFHE4250DTRPBF Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	HEXFET®
iepakojums:	Bulk
daļas statuss:	Active
feta tips:	2 N-Channel (Dual)
fet funkcija:	Standard
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	25V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	86A (Tc), 303A (Tc)
rds on (maks.) @ id, vgs:	2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	20nC, 53nC @ 4.5V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
jauda - maks:	156W (Tc)
Darbības temperatūra:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montāžas veids:	Surface Mount
iepakojums / futrālis:	32-PowerVFQFN
piegādātāja ierīču pakete:	32-PQFN (6x6)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.