EPC2110ENGRT

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	EPC2110ENGRT
Ražotājs	EPC
Apraksts	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - masīvi
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	EPC2110ENGRT PDF

Pieejamība

Noliktavā	261 187
Vienības cena	$ 2.37000

EPC2110ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2110ENGRT Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	eGaN®
iepakojums:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
daļas statuss:	Active
feta tips:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet funkcija:	GaNFET (Gallium Nitride)
iztukšošanas avota spriegums (vdss):	120V
strāva - nepārtraukta aizplūšana (id) @ 25°c:	3.4A
rds on (maks.) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (maks.) @ id:	2.5V @ 700µA
vārtu lādiņš (qg) (maks.) @ vgs:	0.8nC @ 5V
ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ vds:	80pF @ 60V
jauda - maks:	-
Darbības temperatūra:	-40°C ~ 150°C (TJ)
montāžas veids:	Surface Mount
iepakojums / futrālis:	Die
piegādātāja ierīču pakete:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.