IGN1011L70

Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

Ražotāja daļa	IGN1011L70
Ražotājs	Integra Technologies
Apraksts	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Kategorija	diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Ģimene	tranzistori - feti, mosfeti - rf
Dzīves cikls:	New from this manufacturer.
Piegāde:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksājums	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu lapas	IGN1011L70 PDF

Pieejamība

Noliktavā	252 675
Vienības cena	$ 222.00000

IGN1011L70 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IGN1011L70 Specifikācijas

Tips	Apraksts
sērija:	-
iepakojums:	Bulk
daļas statuss:	Active
tranzistora tips:	GaN HEMT
biežums:	1.03GHz ~ 1.09GHz
iegūt:	22dB
spriegums - pārbaude:	50 V
pašreizējais nomināls (ampēri):	-
trokšņa figūra:	-
strāva - pārbaude:	22 mA
jauda - izeja:	80W
spriegums - nominālais:	120 V
iepakojums / futrālis:	PL32A2
piegādātāja ierīču pakete:	PL32A2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.